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对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。四氟化碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。

由碳与氟反应，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四氟化碳。储存注意事项：储存于阴凉、通风的不燃气体库房。远离火种、热源。库温不宜超过30℃。应与易（可）燃物、氧化剂分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，经精馏而得成品。

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